Soitec présente ses avancées majeures dans la 6G

Au Mobile World Congress 2026, SOITEC a présenté, avec la Nanyang Technological University (NTU) de Singapour, les premiers résultats de leur programme commun sur la 6G, issus de quatre années de recherche sur un matériau innovant, le nitrure de gallium sur silicium (GaN).

Cette technologie permet d’obtenir des composants plus puissants, plus économes en énergie et adaptés aux futures infrastructures télécoms. Les tests montrent des performances record, compatibles avec l’alimentation sur batterie et les contraintes des smartphones.

« Ces travaux de recherche démontrent clairement le rôle central que joueront les substrats de pointe dans le développement des technologies 6G. Notre collaboration avec NTU confirme que le GaN sur silicium peut offrir des performances RF de premier plan, tout en répondant aux exigences de coût, d’évolutivité et d’intégration des futurs appareils mobiles. (...) Nous préparons non seulement les modules RF des smartphones de demain, mais nous accélérons aussi la montée en puissance de l’écosystème mondial du GaN, dans les infrastructures comme pour les applications grand public », détaille Christophe Maleville, directeur général adjoint, en charge de la Technologie et de l’Innovation.

Pour Soitec, ces avancées confirment son positionnement stratégique sur les technologies qui structureront l’écosystème mondial de la 6G.